１５日、三星電子は、今年からナンド型フラッシュの全体生産量の半分以上を第４世代Ｖナンドに集中すると発表した。ナンド型フラッシュは、メモリ半導体の一種であり、Ｄラムとは違って、電源を切ってもデータが保存される特徴がある。そのため、スマートフォンなどのモバイル機器と次世代大容量記憶装置「ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）」などに主に使われる。三星電子は、サーバー、ＰＣなど第４世代Ｖナンドの適用製品群も大幅に拡大する計画だ。
三星電子側は、「１月にグローバルＢ２Ｂ（企業間取引）客に限定的に供給してきた第４世代２５６ＧｂＶナンドを、消費者向けＳＳＤ、メモリカードなどに本格的に拡大し、生産の割合も大幅に増やしてグローバル需要増加に対応する計画だ」と明らかにした。
現在、「グローバル半導体市場の大勢はナンド型フラッシュだ」ということに異存はない。ウェアラブル、ビッグデータ、モノのインターネット（ＩｏＴ）、自律走行車など、第４次産業革命時代の主要キーワードと言われている新技術はすべて、相当な量の半導体を必要とするからだ。グローバル半導体企業各社が我先にＤラムからナンド型フラッシュへと生産品を切り替えているのもこのためである。
半導体業界の関係者は、「今年から半導体業界の超長期的好況を意味する『スーパーサイクル（Ｓｕｐｅｒ Ｃｙｃｌｅ）』に差し掛かっていることを受け、メモリ半導体需要が大幅に増加しており、ナンド型フラッシュの成長は独歩的だ」と話した。市場調査機関「ＩＨＳマークイット」によると、２０２０年まで、ナンドフラッシュ市場は年平均６．１％と急成長するだろうと予想される。三星電子は、第４世代（６４段）２５６ＧｂＶナンドの量産を開始することで、東芝、ウェスタンデジタルなど、競合他社との技術格差をさらに広げることができるようになった。
三星電子のＶナンドは、情報を保存する空間であるセル（Ｃｅｌｌ）を、平面ではなく、垂直に積む方式である。同じ空間に一戸建て住宅を複数戸建てるよりも、マンション一棟を建てて、情報保存の効率性を高めたと考えると理解しやすい。ただ段数が高くなるほど、全体の構造がねじれたり最上階と最低階のセルの特性に差が生じたりするなどの問題が発生するので、高い技術力でそれを支えなければならない。
三星電子は、「『超高集積セル構造・工程』『高速動作回路設計』などの技術を適用して、既存の第３世代（４８段）の製品に比べ、速度と生産性、電力効率などをすべて３０％以上向上させた」と強調した。
三星電子は早ければ今月末から本格稼動を開始する京畿平沢（キョンギ・ピョンテク）にある半導体工場で、第４世代（６４段）２５６ＧｂＶナンドの量産を開始するという。三星電子が２年間で約１５兆６０００億ウォンを投資したこの工場は、敷地面積だけでもサッカースタジアム４００個を合わせた２８９万平方メートル（約８７万４０００坪）に達する。単一半導体生産ラインとしては史上最大規模といえる。現在は生産ラインの試験運行の段階にある。
三星電子メモリー事業部フラッシュ開発室のキョン・ゲヒョン副社長は、「半導体チップ一つに１兆個以上の情報を保存する『１テラ（Ｔｅｒａ）ビットＶナンド」時代を繰り上げるために、役員や従業員が一丸となって革新的技術開発に取り組んでいる」と語った。
徐東一 dong@donga.com
About Dong-A Ilbo