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三星電子、半導体設備に14兆5000億ウォン投資か 市場調査機関が予測

三星電子、半導体設備に14兆5000億ウォン投資か 市場調査機関が予測

Posted March. 08, 2017 07:52,   

Updated March. 08, 2017 07:56

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三星(サムスン)電子が今年、半導体部門の施設投資に計125億ドル(約14兆5000億ウォン)を投入するだろうとみられている。

7日、市場調査会社「ICインサイツ」によると、三星電子の今年の半導体部門への施設投資額は、昨年より11%増の125億ドルの規模と予想される。昨年の施設投資額は、113億ドル(約13兆1100億ウォン)だった。メモリ半導体とシステムLSIとの投資割合は、8対2だった。三星電子は、京畿道平沢市(キョンギド・ピョンテクシ)に世界最大規模の半導体生産ラインを建設している。工場が完成すれば、今年半ばからメモリ半導体の一種であるV-NANDフラッシュを量産する計画だ。電子業界では、三星が半導体市場の好況予測に合わせて投資規模を増やしたと見ている。モノのインターネット(IoT)市場の拡大と高仕様デジタル機器の発売が相次ぎ、メモリ半導体の需要が大幅に増えている。

SKハイニックスは今年、60億ドル(約6兆9600億ウォン)を施設投資に使う。世界で4番目に多い規模であり、昨年の51億8800万ドル(約6兆200億ウォン)より約14%が増えた。昨年下半期(7~12月)にDラム市場が成長に転じたうえ、3次元(3D)NAND市場にも積極的に参入したことを受け、投資規模を増やすだろうという声が持ち上がっている。SKハイニックスはまず、京畿道利川(キョンギ・イチョン)の次世代Dラム生産ラインであるM14のクリーンルーム構築と関連インフラへの大規模な投資をおこなう。1月の業績発表のカンファレンスコールでは、3D・NANDフラッシュメモリの生産能力を増やすという計画も明らかにしたことがある。

半導体業界世界首位のインテルは、昨年より25%増の120億ドル(約13兆9200億ウォン)を施設投資に使うことが予想されている。インテルは、昨年の施設投資額も、前年比31%が多かった。インテルは昨年から、強力な体質改善作業と一緒に、サーバー用半導体などの新事業分野に力を入れている。

インテルは、半導体の研究開発(R&D)部門では、昨年、三星電子(約28億8000万ドル)の4倍を超える127億5000万ドルを投資した。



申東秦 shine@donga.com