ＫＡＩＳＴ、 三星とクアルコムを相手に米で特許訴訟

ＫＡＩＳＴ、 三星とクアルコムを相手に米で特許訴訟. December. 01, 2016 08:28. by 송경은　ソン・ギョンウン記者 kyungeun@donga.com. ＫＡＩＳＴの知的財産権管理会社「ＫＡＩＳＴ・ＩＰ」が先月２９日（現地時間）、米テキサス連邦裁判所に三星（サムスン）電子の米法人やグローバルファウンドリー（ＧＦ）、クアルコムの３社を相手に、半導体技術特許使用料を要求する「特許侵害訴訟」を起こした。ＫＡＩＳＴ側は、これらの企業がソウル大学電気情報工学部の李宗昊（イ・ジョンホ）教授とＫＡＩＳＴが共同で保有した半導体技術特許権を無断で盗用したと主張した。問題となった技術は、「フィンフェット（ＦｉｎＦＥＴ）」と呼ばれる超小型トランジスターだ。半導体を高集積化して超小型に具現し、性能が落ちないようにしながら、電力効率までを高めるトランジスタで、現在、生産・販売している高性能携帯電話を具現するコア技術と言われている。この技術はすでに、複数の企業で製品に利用している。米インテルは２０１１年、自社製品にフィンフェットを適用し、２０１２年にはその技術力を認め、正式ライセンス契約を交わした。続いて、三星電子とグローバルファウンドリー、台湾のＴＳＭＣも、フィンフェットを基盤に、携帯電話の半導体チップを製造して製品を発売したが、特許使用料は払っていないというのが、ＫＡＩＳＴ・ＩＰの主張だ。世界最大手携帯電話・半導体企業であるクアルコムは、三星電子やグローバルファウンドリーから該当製品の供給を受けている。三星電子は、「ギャラクシー」シリーズを始め、１０数件の携帯電話のモデルにフィンフェットを利用しているとう。カン代表は、「フィンフェットの開発当時、協約を提案したが、三星電子はこれを受け入れず、２０１３年以降、フィンフェットを使って、携帯電話の半導体の製造を開始したにも拘わらず、特許使用料の支払いを全面的に拒否した」と話した。これについて三星電子は、「訴訟中の事案なので、別途に立場を言及するのは難しい」と明らかにした。