９６層の４Ｄ・ＮＡＮＤ型フラッシュをＳＫハイニックスが初開発

９６層の４Ｄ・ＮＡＮＤ型フラッシュをＳＫハイニックスが初開発. November. 05, 2018 08:16. by 申東秦 shine@donga.com. ＳＫハイニックスは４日、既存の３Ｄ（３次元）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ半導体製品よりさらに一歩進んだ「４Ｄ・ＮＡＮＤ型フラッシュ」の開発に成功したと明らかにした。 ３Ｄ・ＮＡＮＤ型フラッシュに主に適用されるＣＴＦ構造にＰＵＣ技術を結合して、９６層５１２Ｇｂ（ギガビット）級ＴＬＣ（トリプルレベルセル）４Ｄ・ＮＡＮＤ型フラッシュを、世界で初めて開発した。ＣＴＦとは、セル間の干渉を最小限に抑えることで、性能と生産性を改善した技術であり、ＰＵＣは、データストレージセル領域の下部に、セルの動作をつかさどる周辺部回路を配置する技術だ。ＣＴＦは、ほとんどの企業が３Ｄ・ＮＡＮＤ型に採用しているが、それにＰＵＣを導入したのは、ＳＫハイニックスが初めてだ。これにより、既存の７２段３Ｄ・ＮＡＮＤ型よりチップのサイズは３０％以上小さくなり、１ウェーハー当たりの生産性は１.５倍に増えた。チップ１個で既存の２５６Ｇｂ・３Ｄ・ＮＡＮＤ型２個に代替できるので、生産コストを下げることができる。同時に処理可能なデータは、業界最高レベル（６４ｋＢ・キロバイト）であり、書き込みと読み取り性能も７２段の製品よりそれぞれ３０％と２５％向上した。ＳＫハイニックスは、今回開発した４Ｄ・ＮＡＮＤ型製品を搭載した１ＴＢ（テラバイト）容量の消費者向けＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）を今年中に披露する。来年は７２段基盤の企業向けＳＳＤを９６層に切り替える予定だ。