三星（サムスン）電子が主力商品であるＤラムにおいて再び世代交代を達成したことで、生産性を３０％も高めた。ライバルが到底ついてこられないほどの技術格差を維持する三星電子の「超格差戦略」にさらに拍車がかかるものと見られる。
三星電子は「先月から世界で初めて１０ナノ級２世代（１ｙナノ）のＤラムである『１０ナノ級８Ｇｂ（ギガビット）ＤＤＲ４（Ｄｏｕｂｌｅ Ｄａｔａ Ｒａｔｅ ４）』を量産している」と、２０日明らかにした。１ナノ（ナノメートル）は、１０億分の１メートルであり、１０ナノ級というのは、回路の太さ（線幅）が１０ナノ台という意味である。一般的に回路の幅が細いほど、半導体の主材料であるウェハーに刻めるチップ数が多くなり、生産性が高くなる。同じ工程で、より多くの製品を作ることができるので、価格競争力が高くなるからである。三星電子は、「第１世代の製品に比べて生産性が３０％も高くなった」と説明した。
三星電子は昨年２月に１０ナノ級第１世代の８ＧｂＤラムの量産に成功して、世界初の１０ナノ級Ｄラム時代を切り開いたことがある。今回回路の幅を更に狭め、世界でチップのサイズが最も小さい第２世代製品の量産に成功したことで、２１ヶ月ぶりに半導体微細工程の難題を再び自ら克服した。特に、次世代製品を作るために欠かせないと思われてきた「極紫外線（ＥＵＶ）の露光装置」を導入する前に、製品の改善を実現したで、世界のプレミアムＤラム需要の増加に適時に対応できる競争力を構築することになった。
今回のＤラム製品は、高速・超節電・超小型回路の設計が適用された。既存の第１世代の製品に比べて速度は１０％以上速くなり、消費電力量は１５％以上も削減された。三星が２０１２年に量産した２０ナノ級４ＧｂＤＤＲ３に比べると、容量と速度、消費電力効率が２倍に向上した。また、セルに保存されたデータをより正確に確認して、セルデータの読み取り能力を２倍以上に向上させる「超高感度セルデータセンシングシステム設計」、電流が流れる微細領域をこれまで使っていた物質の代わりに絶縁効果の高い空気で満たす「第２世代エアギャップ工程」などが適用された。
今回の製品開発により、三星はライバル各社が到底追いつけないほどの技術格差を広げる「超格差戦略」を維持できるようになった。現在、世界でＤラムを生産する企業のうち、シェアが３％以上の企業は、三星電子（４５.８％）とＳＫハイニックス（２８.７％）、米マイクロン（２１.０％）だけだ。ＳＫハイニックスは先月になってようやく１０ナノ級の壁を突破し、マイクロンはまだ２０ナノ級にとどまっていることが分かった。
また、「半導体のスーパーサイクル（超長期好況）」が近いうちに終わる恐れがあるという見込みが登場する中、新しい技術の開発は、市場状況が変わっても引き続き圧倒的な首位を守り切る武器になりかねない。人工知能（ＡＩ）とビッグデータの第４次産業革命関連技術が高度化するほど、演算とデータを処理するために最高仕様の製品を優先的に使わざるを得ないからだ。
三星は現在、１０ナノ級第２世代Ｄラムはパソコン用製品だけを量産しているが、近いうちにサーバ、モバイル、グラフィック用など、様々な製品を出して、全面的な１０ナノ級Ｄラムの量産体制に突入する方針だ。三星電子の秦敎英（チン・ギョヨン）メモリー事業部社長は、「発想を転換した革新的な技術開発で、半導体の微細化技術の限界を突破した」とし、「今後プレミアムＤラム市場を１０ナノ級に全面転換して、超格差競争力をさらに強化していきたい」と強調した。
金成圭 sunggyu@donga.com
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